自主开发:等离子体与壁相互作用基本过程程序
文章来源: 发布时间: 2025-07-15

模拟碳和钨等杂质与第一壁材料的相互作用程序

     ✓ 考虑物理溅射、化学腐蚀、散射、辐射增 强升华、蒸发、反射 

    ✓ 计算杂质产额(暂不涉及杂质输运),同 时可分析打到材料的能流 

    ✓ 突出鞘层结构的变化(如边界局域模;高 能电子,射频波,二次电子反射) 

    ✓ 可与简单的射频波/边界局域模等模型建立 接口(比如来自低杂波的快电子流)

• 开发者:欧靖 ouj@ipp.ac.cn

• 应用: 

    − EAST保护限制器与等离子体相互作用

     − ICRF与限制器材料相互作用